一、單晶矽的（de）製（zhì）法通常是先（xiān）製得多晶矽或無定形矽，然後（hòu）用直拉（lā）法或懸浮區熔（róng）法從熔體中生長出棒狀單晶矽。熔融的單質矽在凝固時矽原子以金剛石晶格排列成（chéng）許多晶核，如果這些晶核長成晶麵取（qǔ）向相同的晶粒，則這些（xiē）晶粒平行結合起來便（biàn）結晶成單晶矽。
單晶矽圓片按其直徑分為6英寸、8英寸、12英寸（300毫米）及18英寸（cùn）（450毫米）等。直（zhí）徑越大的圓片，所能刻製的集成電（diàn）路（lù）越多，芯片的成（chéng）本也就越（yuè）低（dī）。但大尺寸晶片對材料和技術（shù）的要求也越高。單晶矽按晶體生長方法的不同，分為直拉法（CZ）、區熔法（FZ）和外延（yán）法。直拉（lā）法、區熔法生長單晶矽棒材，外延法生長單晶矽薄膜。直拉法生長的單晶矽（guī）主要用於半導體集（jí）成電路、二極管、外延片襯底、太陽能（néng）電池。目前晶體直徑可（kě）控製在Φ3~8英寸。區熔（róng）法（fǎ）單（dān）晶主要用於高壓大功率可控整流器件領域，廣泛用於大功率輸（shū）變電、電力機（jī）車、整流（liú）、變頻、機電一體化、節能燈、電視機等（děng）係列產（chǎn）品。目前晶體直徑可控製在Φ3~6英（yīng）寸（cùn）。外延片主要用於集（jí）成（chéng）電路（lù）領域（yù）。
單晶矽也稱矽單晶，是電子（zǐ）信息材料中最基礎性（xìng）材料，屬半導（dǎo）體材料類。單晶（jīng）矽已滲透到國民經濟和國防科技中各個領域，當今全球超過2000億美元的電子通信（xìn）半導（dǎo）體市場中95%以上的半導體器件（jiàn）及99%以上的集成電路用（yòng）矽。
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